Hakuto离子蚀刻机10IBE应用于碲镉汞晶体电学特性研究

hakuto 离子蚀刻机 10ibe 技术参数:

基板尺寸

< ф8 x 1wfr

样品台

直接冷却（水冷）0-90 度旋转

离子源

16cm 考夫曼离子源

均匀性

5% for 4”ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100

 hakuto 离子刻蚀机 10ibe  离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 kri考夫曼公司的考夫曼离子源 kdc 160

伯东美国 kri 考夫曼离子源 kdc 160 技术参数：

 离子源型号

 离子源 kdc 160 

discharge

dc 热离子

离子束流

>650 ma

离子动能

100-1200 v

栅极直径

16 cm φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-30 sccm

通气

ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

典型压力

< 0.5m torr

中和器

灯丝

hakuto 离子刻蚀机 10ibe 真空腔采用 pfeiffer 涡轮分子泵 hipace 700, 可抽的真空度 < 1 . 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度. 

试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.

通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.

不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.

另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级.

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