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钳工

Hakuto离子蚀刻机10IBE应用于碲镉**晶体电学特性研究
某研究机构采用hakuto 离子蚀刻机 10ibe 对碲镉**晶体进行蚀刻, 并研究碲镉**晶体蚀刻后的电学特性.
hakuto 离子蚀刻机 10ibe 技术参数:
基板尺寸
< ф8 x 1wfr
样品台
直接冷却(水冷)0-90 度旋转
离子源
16cm 考夫曼离子源
均匀性
5% for 4”ф
硅片刻蚀率
20 nm/min
温度
<100
hakuto 离子刻蚀机 10ibe 离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 kri考夫曼公司的考夫曼离子源 kdc 160
伯东美国 kri 考夫曼离子源 kdc 160 技术参数:
离子源型号
离子源 kdc 160
discharge
dc 热离子
离子束流
>650 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
16 cm φ
离子束
聚焦, 平行, 散射
流量
2-30 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他
典型压力
< 0.5m torr
中和器
灯丝
hakuto 离子刻蚀机 10ibe 真空腔采用 pfeiffer 涡轮分子泵 hipace 700, 可抽的真空度 < 1 . 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉**晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉**晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.
通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉**材料一致.
不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.
另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级.
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